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长江存储128层QLC闪存研发成功!单颗容量133Tb读写性能16Gb
日期:2024年11月25日    来源:网络

  长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

  作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度,以及最高单颗NAND闪存芯片容量。

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  与此同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。

长江存储128层QLC闪存研发成功!单颗容量133Tb读写性能16Gb(图1)

  长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:“作为闪存行业的新人,长江存储仅用短短3年的时间,就实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚,也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking®2.0时代的到来,长江存储有决心、有实力、有能力开创一个崭新的商业生态,让我们的合作伙伴可以充分发挥他们的自身优势,达到互利共赢。”

  得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化,长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现,上市之后广受好评。

  在长江存储128层系列产品中,Xtacking®已经全面升级至2.0,进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的数据传输速率,为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺,CMOS电路可以选用更加先进的制程,同时在芯片面积没有增加的前提下,Xtacking® 2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。未来,长江存储将与合作伙伴携手,构建定制化NAND商业生态,共同推动产业繁荣发展。

  长江存储通过对技术创新的持续投入,已经成功研发出128层两款产品,并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量,长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking® 架构的前瞻性和成熟度,为今后3D NAND行业发展探索出了一条切实可行的路径。

  龚翊(Grace)强调:“我们相信,长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值,具有广阔的市场应用前景。其中,128层QLC版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域,以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

  据悉,QLC是继TLC(3 bit/cell)之后3D NAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元,每个存储单元可以存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,那么一颗长江存储128层QLC芯片就相当于提供了3,665亿个房间,每个房间可住4“人”,共可容纳约14,660亿“人”居住,是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

  闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为,QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本,更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上,QLC SSD未来市场增量将非常可观。

  同时,Gregory Wong表示:“与传统HDD相比,QLC SSD更具性能优势。在企业级领域,QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟,使其更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用;在消费类领域,QLC将率先在大容量U盘,闪存卡和SSD中普及。”关键字:引用地址:长江存储128层QLC闪存研发成功!单颗容量1.33Tb,读写性能1.6Gb

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