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Google AI压缩技术引发市况反转？ 两岸存储器业界：大缺货潮恐延续更久
AI爆发，存储器市场进入「缺货、涨价、抢产能」局面。 据估计，2026年服务器内存需求将年增将超过40%，占整体储存应用比重超过50%，近日Google发表最新AI压缩技术，引发市场担忧内存需求反转疑虑。尽管如此，台湾、中国存储器相关业界，多认为无须担忧，群联电子执行长潘健成直言，NAND Flash大缺货将会延续更久。大普微董事长杨亚非认为，AI推理数据呈现指数级成长，国际大厂技术创新可能带来局部缺货缓解，但降低内存的建置成本，反而将刺激更大应用需求; 阿里云的千问大模型高级产品方案架构师李彬也表示，压
超高速非易失性存储器（UltraRAM）：后硅时代存储器的可行解决方案？
超高速非易失性存储器（UltraRAM）虽前景广阔，但接口、器件差异性及可制造性方面的长期难题，是否会使其商业落地功亏一篑？若能打造一款理想的计算存储器，它会是何种形态？尽管细节上众说纷纭，但多数人会认同，它需兼具闪存这类存储型存储器的非易失性，以及动态随机存取存储器（DRAM）这类工作型存储器的高速、高能效与高耐久性。新兴的 UltraRAM 技术在上述所有维度均展现出巨大潜力。这一设计精妙、极具学术价值的存储器概念，依托精密设计的Ⅲ-Ⅴ 族异质结结构，实现了高速存取与非易失性的融合。早期实验室验证结果
存储器现货价格最新动态：DRAM 现货价高于合约价，二季度议价前市场情绪谨慎
DRAM 平均现货价格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，涨幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，涨幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，涨幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，涨幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，涨幅 1.02%最新更新时间：2026 年 3 月 4 日
2026 年一季度至今，存储器价格较 2025 年四季度暴涨 80%-90%，动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND）和高带宽存储器（HBM）价格均创历史新高。为缓解成本压力，原始设备制造商（OEM）正减少每台设备的存储器搭载量，或优先打造配备低功耗双倍数据率 5 代内存（LPDDR5）的高端产品线，这类产品的价格压力相对可控。2025 年四季度，传统动态随机存取存储器的利润率已反超高带宽存储器；而存储器厂商的营业利润率预计将在 2026 年一季度创下历史峰值，营收也将刷新纪录。counterpo
存储器股利空消息连环爆，传出长江存储下半年提前量产，以及长鑫科技祭出流血价销售DDR4，冲击台厂华邦电逼近跌停，晶豪科跌近8%，南亚科、威刚重挫逾5%; 相比之下，韩国存储器股逆势强弹，显示国际市场对该消息的解读存在明显落差。目前SK海力士约上涨8.6%左右、三星及铠侠大涨逾10%，未受中国大陆厂商提前量产等消息影响。综合分析师观点指出，台股存储器相关个股独自下跌，主因今年农历年休市长达11天，内存属于高度循环股，法人与融资户为避开长假不确定性，选择提前获利了结，使得卖压在封关前集中释放，进一步加剧股价波
半导体行业观察人士表示，内存市场已进入长期上升周期，DRAM和NAND可能至少要到2028年才会供应短缺。历史上，存储器供应商在供给过剩和不足之间摇摆，时而高需求和短缺，时而出现库存过剩、利润繁荣与萧条，以及供应过剩随后引发干旱。然而，这一次，由AI训练和推理工作负载驱动的需求正在重塑这一循环。内存需求的激增如此强烈，制造商需要数年时间才能扩展容量以赶上。看看美光从其记忆产品带来的收入和利润，可以说明传统的供过于求到干旱模式：需求在2016年至2018年间大幅上升，2019年和2020年降至低谷，2021
内存芯片能成为全球升值最快的资产之一背后是人工智能（AI）公司对其的旺盛需求，而其中超过90%的芯片都由三家公司生产：SK海力士、三星以及美光。据Counterpoint Research称，2025年第四季度内存价格飙升了50%，预计到2026年第一季度末还将再上涨40%至50%，这主要是因为数据中心建设者愿意支付巨额溢价。由于AI公司正在挤占其他内存买家的市场份额，这可能会在无数行业产生意想不到的连锁反应。全行业集体买单在消费电子领域，利润空间本就极其微薄，而提价可能会抑制需求。IDC更新了其对智能手
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
10月8日，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏、刘春森团队在《自然》（Nature）期刊上发表题为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）论文，率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森和教授周鹏为论文通讯作者，刘春森研究员和博士生江勇波、沈伯佥、袁晟超、曹振远为论文第一作者。今年4月，周鹏、刘春森团队研发
各大存储器企业正专注于1c DRAM量产的新投资和转换投资。主要内存公司正在加快对 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM 的投资。三星电子从今年上半年开始建设量产线，据报道，SK海力士正在讨论其近期转型投资的具体计划。美光本月还获得了日本政府的补贴，用于其新的 1c DRAM 设施。1c DRAM是各大内存公司计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其 HBM1（第 4 代高带宽内存）中主动采用 6c DRAM。SK海力士和美光计划在包括服务器在内的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
全球存储器市场在生成式AI与大型云端服务商（CSP）急单带动下，正式进入新一轮长线上行。 随着业界开始惜售，业者预期，10月DDR4与DDR5合约价及现货价，皆将出现双位数涨幅。产业界大老指出，这一波内存行情涨得又快又急，可望一路延续到2026年底。根据业界对10月涨幅最新预估，DDR5合约价将上涨10~15%，现货价涨15~25%; DDR4合约价将上涨逾10%，现货价涨幅则超过15%，随着市场供货趋紧，现货价涨幅还有进一步拉升的可能。业者分析，此波涨幅的原因有二：一是AI应用与储存需求强劲，推升NAN
华为定于8月27日召开「AI SSD，加速智能经济涌现」新品发布会，剑指AI存储器赛道，计划以技术创新推出大容量AI SSD，突破传统HBM的容量限制。在当前的AI存储器领域，HBM占据重要地位 —— HBM是一种通过3D堆叠和超宽接口，实现极高数据传输带宽的先进内存技术，通常直接封装在GPU卡中。问题在于，传统HBM受容量制约，难以满足AI大模型等场景需求，HBM牺牲容量换取极致带宽和能效的策略导致现有算力卡上HBM的容量比较有限。华为将发布的全新AI SSD产品，可以有效满足AI训练推理过程中的超大容
（图片来源：Getty / Comezora）科学家们工程化的一种突破性新型分子，可能为存储技术开启100倍于当前容量的新大门，这得益于一种能在所需低温下用常见冷却剂保持的单分子磁体，这是单分子磁体技术上的重大突破。曼彻斯特大学和澳大利亚国立大学（ANU）的化学家在《自然》上发表了研究结果。正如Phys所解释的那样，现代硬盘通过磁化由许多原子共同组成的小区域来存储数据，而单分子磁体可以单独存储数据，无需邻近分子的帮助，为超高密度数据存储铺平了道路。技术挑战在
据媒体报道，近期存储器产业急单出货表现强劲，主要受中美关税战缓和的影响，供应链客户拉货节奏有望逐步回归正常。随着中美双方在日内瓦发布联合声明，美国对中国商品的关税暂时降至30%，中国对美国商品的关税也降至10%。这一调整为全球关税谈判设立了新的“隐形区间”，即10%至30%。业内人士指出，尽管30%的关税仍对部分企业构成较大压力，但相较于此前的高税率，供应链的紧张情绪已有所缓解。特别是在存储器领域，由于韩系厂商三星电子逐步停产DDR4，市场一度出现急单拉货潮。随着关税局势改善，客户已建立一定库存，急单备货
全球存储器市场正在从谷底回升，看好存储器将成为AI运算的核心之一，但钰创董事长卢超群示警，中国大陆厂商正加速扩张中低阶DRAM产能，未来2年市占率将可望跃升至4成，恐将冲击全球价格与产业结构。对于短期需求，卢超群表示，是否处于真实需求或库存拉货，仍需进一步观察，但从第2季起需求已逐步浮现，预期第3~4季有望逐季转强，包括车用产品在关税政策压力下，目前尚未接获任何来自客户的负面回馈，因此将审慎态度因应短期变动，推进长期的应用布局。钰创观察，旗下存储器产品较少直接出货至美国市场，但近期在对等关税90天豁免期间
什么是存储器 存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的构成 构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [查看详细]
请问如何编写.bin程序使用IAR或GreenHill将文件存储到外部存储器中？
一文看懂NAND、eMMC、UFS、eMCP、uMCP、DDR、LPDDR及存储器和内存区别
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